格芯宣布已收購瑞薩電子的專利和經(jīng)過生產(chǎn)驗(yàn)證的導(dǎo)電橋接隨機(jī)存取存儲器技術(shù)

　　GlobalFoundries(GF，格芯)近日宣布，已經(jīng)收購瑞薩電子公司(Renesas)的專利和經(jīng)過生產(chǎn)驗(yàn)證的導(dǎo)電橋接隨機(jī)存取存儲器 (conductive- bridging RAM，CBRAM) 技術(shù)，這是一種低功耗的存儲器解決方案，旨在實(shí)現(xiàn)家庭和工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)以及智能移動設(shè)備的一系列應(yīng)用。
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　　這項(xiàng)交易進(jìn)一步加強(qiáng) GF 的存儲器產(chǎn)品組合，并通過增加另一種可靠的、可定制的、相對容易集成到其他技術(shù)節(jié)點(diǎn)的嵌入式存儲器解決方案，擴(kuò)展其嵌入式非易失性存儲器(NVM)解決方案的路線圖。具體而言，這項(xiàng)技術(shù)將使客戶能夠進(jìn)一步區(qū)分其 SoC 設(shè)計(jì)，并推動新一代安全和智能設(shè)備的發(fā)展。

　　格芯表示，“致力于使我們技術(shù)組合差異化，成為客戶今天和未來幾十年的節(jié)能物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的基礎(chǔ)。通過收購這項(xiàng)創(chuàng)新的存儲技術(shù)，GF 現(xiàn)在在加速開發(fā) NVM 解決方案方面發(fā)揮著至關(guān)重要的作用，這將使我們的客戶能夠設(shè)計(jì)出下一代的智能和互聯(lián)設(shè)備。CBRAM 技術(shù)釋放了性能和超低能耗的新范式，使從可穿戴設(shè)備到智能手機(jī)的各種應(yīng)用，在特定的使用情況下，將電池充電的間隔時間從幾小時延長到幾周甚至幾年。”

　　CBRAM 的低功耗、高讀 / 寫速度、降低制造成本和對惡劣環(huán)境的耐受性，使其特別適用于消費(fèi)、醫(yī)療和特定工業(yè)應(yīng)用。2020 年，格芯 GF 與 Dialog 半導(dǎo)體公司(該公司于 2021 年被瑞薩公司收購)達(dá)成了一項(xiàng)許可協(xié)議，將其 CBRAM 技術(shù)作為一種嵌入式、NVM 選項(xiàng)。現(xiàn)在，CBRAM 正在該公司的 22FDX 平臺上得到認(rèn)證，并計(jì)劃將其擴(kuò)展到其他平臺。
　　文章來源：http://www.codekj.com/html/news/xwdt/2023_02/11/3022038.html

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